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機潮,加上中國十一長假最後一波補庫存行情,DRAM現
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貨價上周五(25日)再創波段新高,DDR2 1GB有效
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測試顆粒(ETT)單日大漲5.55%、每顆行情報1.94
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美元;512MB ETT規格上漲3.4%、報0.91
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美元;DDR3行情則持穩在2.11美元。 若以南科(2
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顆粒(ETT)單日大漲5.55%、每顆行情報1.94美元;512MB ETT規格上漲3.4%、報0.91美元;DDR3行情則持穩在2.11美元。 若以南科(2408)、華亞科(3474)、力晶(5346)全產能運轉成本計算,目前DRAM價格,不但已產生現金流入、且開始出現獲利。 本季虧損大減 投信法人預期,本季DRAM廠的虧損將可大幅縮減,下季價格若持續高檔,可力拚由虧轉盈。法人看好本周DDR2現貨將挑戰2美元大關。 力晶高層昨(27)日表示,力晶已開始進行65奈米製程,目前DDR2的現金成本已降至1.1美元左右,若未來產能全數開出,目前價格,力晶已經具備獲利能力。 力晶指出,正逐漸恢復產出、且加大DDR3的產出比重,下季有機會產能全開,營運將出現大轉機。力晶上周五股價下跌0.08元、收3.0元,成交量1.46萬餘張。 南科、華亞科原溝槽式(Trench)製程將在10月上旬結束投片,10月中起將全數以美光(Micron)68奈米堆疊式(Stack)製程生產,並逐步轉入50奈米製程。 南科、華亞科目前高毛利的DDR3比重相對較高,價格續漲,受惠程度自然最大。 根據南科的規劃,估計DDR3在明年第一季時將由目前的三成比重增為五成,未來DDR2比重將逐步降至20%到30%左右。